Особенности ионно-плазменного осаждения пленок твердых растворов (SIC)1-X(AlN)X
УДК 538.945:621.382
Гусейнов М. К., Исабеков И. М., Исабекова Т. И.
Аннотация
Представлены результаты исследований, направленных на создание технологии получения пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Рассматриваются особенности технологического процесса осаждения пленок (SiC)1-x(AlN)x, факторы, влияющие на структуру и качество осаждаемых пленок. Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии проведены исследования структуры, состава и морфологии поверхности полученных экспериментальных образцов (SiC)1-x(AlN)x. Показано, что пленки, полученные на подложках 6H-SiC при температуре Т~1273К, имеют монокристаллическую структуру.
Ключевые слова: широкозонные полупроводники, ионно-плазменное осаждение, нелинейная диффузия, термализация, закон Вегарда, монокристаллическая структура
Особенности ионно-плазменного осаждения пленок твердых растворов (SIC)1-X(AlN)X
Аннотация
Представлены результаты исследований, направленных на создание технологии получения пленок твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x. Рассматриваются особенности технологического процесса осаждения пленок (SiC)1-x(AlN)x, факторы, влияющие на структуру и качество осаждаемых пленок. Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии проведены исследования структуры, состава и морфологии поверхности полученных экспериментальных образцов (SiC)1-x(AlN)x. Показано, что пленки, полученные на подложках 6H-SiC при температуре Т~1273К, имеют монокристаллическую структуру.
Ключевые слова: широкозонные полупроводники, ионно-плазменное осаждение, нелинейная диффузия, термализация, закон Вегарда, монокристаллическая структура
English
Русский
